Polyfet RF Devices

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　国内連絡先: (株)昌新
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　mail: eci@shoshin.co.jp
　URL : http://www.shoshin.co.jp
　担当 :電子営業部　遠藤 雅貴

出展品目
  • ハイパワートランジスター
 Exhibits
  • Gold Metalized RF Power MOS FETS
展示製品の特徴
ポリフェット社では2GHzまでの、ハイパワーかつ効率の高い "Power MOS FET"を供給致しております。

F1000シリーズは、HFとUHF無線用で、広帯域でリニアな特性を持っております。
例えば F1015は、200〜400MHzの周波数帯域で、100Wの出力が可能です。
またF2000シリーズでは 2GHzまでをカバーし、10Wの出力を実現しております。

移動体通信・放送・MRI・NMR・ミリタリー通信などでご利用頂けます。