歴史展示コーナー
Historical Microwave Exhibit in Japan


日本のマイクロ波技術に関する歴史展示

マイクロ波技術者の育成及び技術開発促進の一助とするために、日本のマイクロ波技術に関する歴史をパネルで紹介します。
本展示は、1994年に開催された『APMC '94』に始まり、以後MWE(Microwave Workshop and Exhibition)として、またAPMCが国内で開催される年度には、APMCに付設の形で、毎年テーマを選んで実施しております。


MWE 2003では、部品から装置に至る日本のマイクロ波技術のうち、1995年までに発表された半導体関連の歴史的技術、成果物を、写真・図と技術の説明からなる68点以上のパネルで紹介致します。
また、本年より新たに、歴史展示に関するトピックスを紹介する「歴史展示に学ぶ」セミナーを実施致します。あわせてご聴講ください。

世界の最先端のマイクロ波技術に挑戦してきた先人たちの研究開発の歩みをご覧頂ければ幸甚です。


貴重な記録・データーをご提供戴きました関係機関並びに各位に厚く御礼申し上げます。歴史展示は、年を重ねてその価値・完成度を高めて行くものであります。

引き続きご意見や情報のご提供を頂きますようお願い申し上げます。

MWE2003歴史展示 出品パネルリスト

番号 ダイオード 発表年
1 Siマイクロ波受信用ミキサーダイオード 1950
2 N型GaAsバルク試料にてマイクロ波発振を確認 1964
3 Geシルバーボンドダイオードによるミリ波連続発振 1966
4 高出力ガンダイオードの製品化 1968
5 受信用GaAsショットキバリアダイオードの製品化 1968
6 高出力Siエピタキシャル拡散型インパッドダイオードの製品化 1968
7 高性能GaAsプレーナPNバラクタダイオード 1970
8 30GHz帯GaAsショットキバリアインパッドダイオード 1972
9 80GHz帯Siインパッドダイード 1973
10 200GHz帯Siインパッドダイード 1976
11 サブミリ波周波数逓倍器 1978
12 サブミリ波Pt/GaAsショットキダイオード検出器/ミキサ 1980

番号 Siトランジスタ 発表年
1 マイクロ波Siトランジスタの製品化 1964
2 メッシュエミッタ高周波高出力トランジスタ 1968
3 イオン注入型Si低雑音トランジスタ 1969
4 マイクロ波ビームリードトランジスタ 1974
5 SiUHF帯MOS高出力FET 1974
6 SET(Stepped Electrode Transistor) 1976
7 1GHz100W静電誘導トランジスタ 1979
8 Si SSTトランジスタ 1980
9 民生用1GHz帯超低雑音トランジスタの製品化 1983
10 低電圧動作高効率UHF帯SiMOS高出力FET 1983
11 Ku帯発振用Siトランジスタの製品化 1988

番号 GaAs FET, HEMT及びHBT 発表年
1 GaAs FET試作 1970
2 マイクロ波低雑音GaAsFET 1972
3 世界初の電力GaAsFET 1973
4 低雑音0.5μmゲートGaAsFET 1975
5 内部整合回路付高出力GaAsFET 1977
6 HEMT最初の発表 1980
7 ミリ波低雑音GaAsFET 1980
8 10GHz10WフリップチップGaAsPowerFET 1981
9 DBS用超低雑音GaAsFETの製品化 1982
10 AlGaAs/GaAsHBT 1984
11 超低雑音HEMTの製品化 1986
12 インテルサットZ衛星搭載用C帯内部整合FET 1989
13 0.1μmゲートミリ波低雑音HEMT 1989
14 外部ベース選択成長AlGaAs/InGaAs HBT 1993
15 ディジタル携帯電話向け電力増幅器用GaAsヘテロ接合FET 1995

番号 MMIC及びモジュール 発表年
1 18GHz帯常温パラメトリック増幅器 1969
2 20GHz帯IC化バランスドミキサ 1971
3 20GHz帯帯域反射型高安定ガンダイオード発振器 1971
4 6GHz帯GaAsFET4段パワーアンプモジュール 1976
5 GaAsFET誘電体発振器 1980
6 準ミリ波帯GaAs低雑音増幅器MMIC 1981
7 世界最高性能SiMMICの製品化 1982
8 30GHz帯GaAsMMIC高出力増幅器 1984
9 3.3GHzSiプリスケーラMMICの製品化 1984
10 X帯5bitMMIC移相器 1984
11 多機能集積化GaAsMMIC 1984
12 1GHzGaAsPrescalerIC 1985
13 X帯高耐圧MMICTRスイッチ 1987
14 GaAsFETを使用した携帯電話用電力増幅器モジュールの製品化 1987
15 Ka帯AlGaAs/GaAsHBTモノリシック発振器 1988
16 14GHz帯GaAsプリスケーラICの製品化 1989
17 6GHz帯超広帯域SiバイポーラMMIC 1989
18 アンチパラレルダイオードペアを用いた40GHz帯モノリシック偶高調波ミクサ 1991
19 アナログ携帯電話用MMIC HPA 1991
20 1.9GHz帯MMIC電力増幅器 1992
21 40GHz帯アンテナ一体化MMIC受信コンバータ 1992
22 衛星搭載用38GHz帯電力増幅MMIC 1992
23 低損失,高耐電力W帯バランス形MMICダイオードミクサ 1992
24 3次元MMIC技術 1992-94
25 携帯電話用低電圧動作MMIC高出力増幅器 1994
26 携帯電話用SAWフィルタ内蔵受信MCM 1994
27 GSM用HBT MMICパワーアンプ 1994
28 携帯電話用直交変調器内蔵アップコンバータ Si-MMIC 1994
29 60GHz帯ワンチップMMIC受信回路 1994
30 大規模GaAs MMIC可変ビーム形成回路網 1995