• シリコンカーバイド (SiC) MESFET

• Silicon Carbide (SiC) MESFET

■ 米国クリ−社は、シリコンカーバイド(SiC)のウエファー及びMESFET製品のパイオニア的存在であり、業界のリーディングカンパニーであります。

■ ワイドバンドギャップ素子は、シリコンおよびガリウム砒素より優れた熱特性により、高周波部品への応用に注目を集めております。その特性を生かした『SiC MESFET』は、広帯域、高出力増幅器のキーパーツであり、高速移動体通信として注目されている「WiMAX用」に、最適な製品となっております。

■ また同じくワイドバンドギャップ素子である『窒化ガリウム (GaN) HEMT』についても、クリ−社は最先端の研究、開発を行っております。

■ 当社はクリ−社の製造する『SiC MESFET』『とGaN HEMT』を取り扱っております。