MWE 2005 Microwave Workshop
ワークショップ Workshop [3] |
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| A [ パッシブ回路 ] |
| ワークショップ 08 |
11月10日 (木) 13:30−16:30 |
F203 会議室 |
マイクロ波・ミリ波
高性能小型受動デバイスの最新技術
Recent Technologies of High-Performance Miniaturized Microwave and Millimeter-Wave Passive Devices |
| オーガナイザ ： 河合 正 (兵庫県立大) 座 長 ： 和田 光司 (電通大) |
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| 1. |
シリコン基板上の受動素子
Passive Components on Si CMOS Chip
益 一哉 (東工大) |
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| 2. |
高周波帯における LTCCへの受動回路内蔵化技術
Development of Embedded Passive Components in LTCC for High Frequency Applications
大橋 英征、米田 諭、湯浅 健、大和田 哲 (三菱電機) |
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| 3. |
UWBアンテナ技術の動向
Recent Progress in Ultra-Wideband Antenna Technologies
小林 岳彦 (東京電機大) |
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| 4. |
地上デジタル放送中継局用 超電導バンド パスフィルタ
Superconducting Bandpass Filters for Digital-Terrestrial-Broadcasting Relay Station
橋本 龍典、福家 浩之、相賀 史彦、加屋野 博幸、山崎 六月 (東芝)、金森 香子、中北 久雄 (NHK) |
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近年、移動体通信やITSなどのワイヤレス通信システムが、目覚ましく発達している。加えて、UWBシステムやソフトウェア無線などの新しい技術の開発も、盛んになってきている。このような技術の進歩に伴い、マイクロ波・ミリ波受動デバイスに対しても、小型・軽量・低コスト化に加えて、広帯域・マルチバンドなどの、高性能な特性が要求されている。
本セッションでは、ワイヤレス通信システムが求める、受動デバイス技術の、最新動向を紹介する。 |
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| C [ 無線システム ] |
| ワークショップ 09 |
11月10日 (木) 13:30−16:30 |
F204 会議室 |
コグニティブ無線とRF技術
Cognitive Radio and Its Related RF Technology |
| オーガナイザ / 座 長 ： 末松 憲治 (三菱電機) 座 長 ： 原田 博司 (情報通信研究機構) |
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| 1. |
コグニティブ無線技術
Cognitive Radio Technology
原田 博司 (情報通信研究機構) |
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| 2. |
SDRフォーラムの動向
Current Status of SDR Forum
藤井 拓三 (日立国際電気) |
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| 3. |
SDR/コグニティブ無線用 RF技術
RF Technologies for SDR/Cognitive Radio
荒木 純道 (東工大) |
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| 4. |
SDR/コグニティブ無線端末用 マルチバンドRFIC
Multi-Band/Multi-Mode RFIC for SDR/Cognitive Radio Terminals
末松 憲治、蔭山 千恵美、新庄 真太郎、中島 健介 (三菱電機) |
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| 5. |
マルチバンド・マルチモード送受信機 および SDR用 RFフィルタ技術
Filtering Challenges For Multi-Band, Multi-Link RF Front Ends For Cellular Phones
Ulrich Bauernschmitt、Christian Block Clemens、C. W. RuppelBlock、C. Ruppel (EPCOS AG, Germany) |
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周波数資源の逼迫に対応するために、次世代の移動体通信システムとして、「コグニティブ無線」あるいは「ソフトウェア無線(SDR)」が注目されている。
本セッションでは、システムサイドから見たコグニティブ無線を技術紹介するとともに、フォーラムの動向、これらの無線機に必要となるRF技術、マルチモード/マルチバンドRFデバイスについて、技術紹介を行う。 |
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| B [ アクティブ回路 ] |
| ワークショップ 10 |
11月10日 (木) 13:30−16:30 |
F206 会議室 |
GaNデバイスとその回路応用
High Power GaN Devices and Their Circuit Applications |
| オーガナイザ ： 常信 和清 (富士通研究所) 座 長 ： 吉川 俊英 (富士通研究所) |
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| 1. |
Physical Phenomena Limiting the RF Performance of AlGaN / GaN HFET Power Amplifiers
Robert J. Trew (North Carolina State Univ., U.S.A.) |
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| 2. |
100-MM Gan-On-Silicon Based Solutions for RF-Cellular Infrastructures
Kevin Linthicum、Apurva Chaudhari、Jennifer Gao、Allen Hanson、Wayne Johnson、Jeff Marquart、Walter Nagy、Edwin Piner、Pradeep Rajagopal、Sameer Singhal、Craig Strautin、Robert Therrien、Joe Williamson (Nitronex Corp., U.S.A.) |
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| 3. |
W-CDMA基地局用高効率GaN-HEMT
A High Efficiency GaN-HEMT for W-CDMA Base Station
佐野 征吾、宇井 範彦 (ユーディナデバイス) |
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| 4. |
AlGaN/GaN HFETの高周波フロントエンドへの応用
100-MM Gan-On-Silicon Based Solutions for RF-Cellular Infrastructures
酒井 啓之、西嶋 将明、村田 智洋、廣瀬 裕、Masahiro Hikita、Noboru Negoro、Yasuhiro Uemoto、Kaoru Inoue、Tsuyoshi Tanaka、Daisuke Ueda (松下電器産業 半導体社 半導体デバイス研究センター) |
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| 5. |
次世代パワーエレクトロニクスにおけるGaNパワーデバイスの可能性
Possibility of GaN Power Devices for Future Power Electronics
上杉 勉 (豊田中央研究所 パワーデバイス研究室) |
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ワイドギャップ半導体GaNは、従来の半導体に比べ破壊耐圧が高く、電子の飽和速度も高いため、高出力・高周波デバイス用途に期待されている。
本セッションでは、実用化が始まったGaNトランジスタの最新の技術動向を紹介し、今後を展望する。
最初に、AlGaN/GaNヘテロ接合トランジスタの特徴を把握するために、デバイス物理とパワー特性、歪特性の関係について議論する。次に、回路応用として、高周波GaN電力増幅器の最新のパワー特性を紹介する。最後に、大きな市場が見込まれている、大電力スイッチングデバイスへの応用可能性を議論し、最新の技術動向を紹介する。 |
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