• 超ローノイズ/高利得・ヘテロ接合FET
• 高効率へテロ接合電力FET
• 低ひずみGaAs パワーFET
• 内部整合電力FET
• MMIC

• Super Low Noise High Gain Heterojunction FETs
• High Efficiency Power FETs
• Low Distortion GaAs Power FETs
• Internally Matched Power FETs
• MMICs

●エクセリクス社は広帯域・超ローノイズ・低ひずみ・ハイパワーのFETおよびMMICを開発・製造しており、現在世界の無線基地局で幅広く使用されています。
エクセリクス社のデバイスはN.F.、P1dB、IP3が他社に比べより優れているのが特長です。その他、Idss(Idss=Saturated Drain 電流)700mAがほしいと言えば、700mA近くをそろえて出荷してくれます。そのためバラツキを考えて追加の回路を設計する必要がありません。回路を一つ追加すれば、コストが掛かります。

●MMIC製品(EMAシリーズ)には、9-16、22-26、26-32GHzの各帯域において、P-1dBが18-28dBm、利得が15-2dBの低雑音/電力増幅器や、LO増幅器付20-32GHz帯 サブハーモニックミクサなどがあります。